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PBSS5130T,215实物图
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PBSS5130T,215

低VCEsat晶体管 PNP 电流:1A 电压:30V

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描述
采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP低VCEsat小信号突破(BISS)晶体管。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PBSS5130T,215
商品编号
C551951
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.023克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)30V
耗散功率(Pd)480mW
直流电流增益(hFE)260@500mA,2V
属性参数值
特征频率(fT)200MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))225mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.7

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