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PBSS4130PANP,115实物图
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PBSS4130PANP,115

NPN+PNP 1A 30V

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描述
NPN/PNP低VCEsat小信号突破(BISS)晶体管,采用无铅中功率DFN2020-6(SOT1118)表面贴装器件(SMD)塑料封装。NPN/NPN互补型号:PBSS4130PAN。PNP/PNP互补型号:PBSS5130PAP。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PBSS4130PANP,115
商品编号
C551890
商品封装
HUSON-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN+PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)30V
耗散功率(Pd)510mW
属性参数值
直流电流增益(hFE)210@500mA,2V
特征频率(fT)165MHz;125MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))150mV
工作温度-

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