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SLM2014CA-DG
200V半桥驱动器
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- 描述
- 160V半桥，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护
- 品牌名称
- Sillumin(数明半导体)
- 商品型号
- SLM2014CA-DG
- 商品编号
- C5127147
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 10V~18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 传播延迟 tpLH | 260ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 67uA |
商品概述
SLM2014是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200 V。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作而设计
- 最高可在+200 V下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10 V至18 V
- 欠压锁定功能
- 与3.3 V、5 V逻辑兼容
- 具备交叉导通预防逻辑
- 双通道的传播延迟匹配
- 内置死区时间设置
- 符合RoHS标准的SOP8封装