1个N沟道 耐压:650V 电流:34.5A
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 34.5A | |
功率(Pd) | 143W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,25A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.9V@1mA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1nF@400V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 8pF@400V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |