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NCE40TD120VTP
1200V、40A沟槽式FS II快速绝缘栅双极晶体管（IGBT）
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- 描述
- 采用NCE专有的沟槽设计和先进的FS（场截止）第二代技术，1200V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE40TD120VTP
- 商品编号
- C5124158
- 商品封装
- TO-247P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 468W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 200uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 298nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 5.59nF | |
| 输出电容(Coes) | 177pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 134pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 170ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 180ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |