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IRF7319TRPBF
耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- IRF7319TRPBF
- 商品编号
- C5123893
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A；6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 429pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF；59pF |
商品概述
NCE3008XM采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 8A
- 当栅源电压VGS = 2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 55 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 39 mΩ
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 33 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
-电池保护-负载开关