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TDM31058A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TDM31058A

1个N沟道 耐压:100V

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描述
类型 N 漏源电压(Vdss) 100 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 导通电阻(mΩ) 16 输入电容(Ciss) 1130 反向传输电容Crss(pF) 60 栅极电荷(Qg) 30
品牌名称
Techcode(泰德)
商品型号
TDM31058A
商品编号
C5122437
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))-
输入电容(Ciss)1.13nF@25V
反向传输电容(Crss)60pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

TDM31056A采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 16mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 22.5mΩ
  • 极低的开关损耗
  • 出色的稳定性和一致性
  • 提供无铅产品
  • DFN5X6-8封装

应用领域

  • 高频开关-同步整流

数据手册PDF