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BUK7Y9R9-80EX实物图
  • BUK7Y9R9-80EX商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK7Y9R9-80EX

1个N沟道 耐压:80V 电流:89A

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描述
标准电平N沟道MOSFET,采用TrenchMOS技术,采用LFPAK56(Power SO8)封装。该产品已通过AEC Q101标准认证,适用于高性能汽车应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK7Y9R9-80EX
商品编号
C549932
商品封装
LFPAK56(PowerSO-8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.144827克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)89A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)195W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)51.6nC@10V
输入电容(Ciss)4.266nF
反向传输电容(Crss)226pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用TrenchMOS技术、封装为LFPAK56(Power SO8)的标准电平N沟道MOSFET。该产品经设计并通过AEC Q101标准认证,适用于高性能汽车应用。

商品特性

  • 符合Q101标准
  • 具备重复雪崩额定值
  • 额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境
  • 真正的标准电平栅极,在175°C时VGS(th)额定值大于1 V

应用领域

  • 12 V、24 V和48 V汽车系统
  • 电机、灯具和螺线管控制
  • 变速器控制
  • 超高性能功率开关

数据手册PDF