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INN650DA04
氮化镓MOS管
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- 描述
- 特性：增强模式晶体管。 常关功率开关。 超高开关频率。 无反向恢复电荷。 低栅极电荷，低输出电荷。 符合JEDEC标准的工业应用要求。应用：AC-DC转换器。 DC-DC转换器
- 商品型号
- INN650DA04
- 商品编号
- C5121646
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 技术路线 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 365mΩ@6V |
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