INN650D260A
INN650D260A
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- 品牌名称Innoscience(英诺赛科)
商品型号
INN650D260A商品编号
C5121645商品封装
DFN(8x8)包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
技术路线 | - | |
Vds-漏源击穿电压 | 650V | |
Id-漏极电流(25℃) | 22A | |
Pd-功耗 | 75W | |
Vgs(th)-阈值电压 | 1.6V | |
RDS(on)-导通电阻(10V) | - |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
RDS(on)-导通电阻(8V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(6V) | 165mΩ | |
RDS(on)-导通电阻(4.5V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(2.5V) | - | |
Qg-栅极电荷 | 2nC | |
Ciss-输入电容 | 73pF | |
Crss-反向传输电容 | 0.2pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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