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INN650D260A
INN650D260A
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- 品牌名称Innoscience(英诺赛科)
商品型号
INN650D260A商品编号
C5121645商品封装
DFN(8x8)包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| 技术路线 | - | |
| Vds-漏源击穿电压 | 650V | |
| Id-漏极电流(25℃) | 22A | |
| Pd-功耗 | 75W | |
| Vgs(th)-阈值电压 | 1.6V | |
| RDS(on)-导通电阻(10V) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| RDS(on)-导通电阻(8V) | - | |
| RDS(on)-导通电阻(6V) | 165mΩ | |
| RDS(on)-导通电阻(4.5V) | - | |
| RDS(on)-导通电阻(2.5V) | - | |
| Qg-栅极电荷 | 2nC | |
| Ciss-输入电容 | 73pF | |
| Crss-反向传输电容 | 0.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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