温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HYG190P13NA1P
P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：低导通电阻：18 mΩ（典型值）@ VGS = -10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：便携式设备和电池供电系统
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG190P13NA1P
- 商品编号
- C5121338
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.348nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- -125V/-72A
- 当VGS = -10 V时,RDS(ON) = 18 mΩ(典型值)
- 经过100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-便携式设备和电池供电系统
其他推荐
- AZEV132-1AE1BG-12D
- CY9BF524LPMC1-G-MNE2
- SGM3785YTDP14G/TR
- SPQ1410HR5H-B
- SSPT7F-7PF20-R
- CC45SL3JD330JYNNA
- AiP74HC08SA14.TB
- AiP74HC14TA14.TB
- AIP74HC32SA14.TB
- AIP74HC74TA14.TB
- AiP74HC4094SA16.TB
- AiP74HC86SA14.TB
- AiP74HC595TA16.TR
- AiP74LVC2G04GB236.TR
- AiP74LVC2G08TA8.TR
- AIP74LVC125TA14.TB
- AIP74LVC16T245TA48.TB
- AiP74ALVC164245TA48.TB
- AIP4052TA16.TR
- MCP6002-I/MS
- MIC5201-5.0YS