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HYG190P13NA1P
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻：18 mΩ（典型值）@ VGS = -10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：便携式设备和电池供电系统
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG190P13NA1P
- 商品编号
- C5121338
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,35A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.348nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- -30V/-90A
- 栅源电压（VGS）为 -10 V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)）典型值为 4.4 mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -4.5 V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)）典型值为 7.4 mΩ
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件（符合 RoHS 标准）
应用领域
- DC/DC 转换器电源管理-负载开关-电机控制
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