温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HYG064N08NA1P
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：80V/120A。 R₍D(ON)₎ = 6.4mΩ（典型值）@V₍GS₎ = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG064N08NA1P
- 商品编号
- C5121334
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 80V/120A
- RDS(ON) = 6.4 mΩ(典型值),VGS = 10 V时
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-开关应用-逆变器系统电源管理