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HYG800P10LR1S
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：100V / -8A。 RDS(ON) = 72mΩ（典型值），@ VGS = -10V。 RDS(ON) = 80mΩ（典型值），@ VGS = -4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：DC/DC电源管理。 负载开关
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG800P10LR1S
- 商品编号
- C5121278
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.307nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi的先进超结技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 这些器件非常适合用于开关模式操作下的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- 11A、650V，RDS(on)典型值 = 0.318Ω @ VGS = 10V
- 低栅极电荷（典型值15.5nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力