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TX20N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 高单元密度的沟槽式N沟道OSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSO和栅极电荷。TX20N03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过静电放电（ES）测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XDS(芯鼎盛)
- 商品型号
- TX20N03
- 商品编号
- C5121275
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 801pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi的先进超结技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- 15A、650V，VGS = 10V时，RDS(on)典型值 = 0.28Ω
- 低栅极电荷（典型值19.6nC）
- 更低的栅极电阻
- 经过100%雪崩测试
- 无铅且符合RoHS标准