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NCEP40T15AGU
1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
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- 描述
- 使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP40T15AGU
- 商品编号
- C5119012
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，旨在最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 150A
- RDS(ON) = 1.2mΩ,典型值@ VGS = 10V
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 150°C 工作温度
- 无铅引脚镀层
- 100% 非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 100% ΔVds测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 适用于高频开关和同步整流
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