温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJT7801_R1_00001
2个P沟道 耐压:20V 电流:700mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJT7801_R1_00001
- 商品编号
- C5118990
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 325mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 640mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 165pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE82H160采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- 栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏极电流(ID)为 -0.7A 时,导通电阻(RDS(ON))<325mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏极电流(ID)为 -0.6A 时,导通电阻(RDS(ON))<420mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -1.8V、漏极电流(ID)为 -0.5A 时,导通电阻(RDS(ON))<600mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、脉宽调制(PWM)应用等设计
- 静电放电(ESD)防护达 2KV 人体模型(HBM)
- 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品
- 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料(无卤)
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
其他推荐
- GBU4MP_B0_00101
- 1N4742A-G_AY_100A5
- 1N5934B_AY_10001
- ER3D_R2_00001
- 1SMA5932_R2_00001
- 1N5934B_AX_10001
- BZT52-C33S_R1_00001
- MMSZ5255B_R1_00101
- P6SMB10CA_R2_00001
- BZX84C3_R1_00001
- BZT52-C16-AU_R1_000A1
- 2KBP10M_F0_100A2_B49
- 1N4753A-G_AY_100A3
- BD5200YS_S2_00001
- MBR310AFC_R1_00001
- 1N5242B_AX_10001
- BAT721C_R1_00001
- 1SMB3EZ24_R1_00001
- MBR20200CT_T0_00301
- 1N5255B_AY_10001
- EVPASJC1A