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SFS08R03GNF
增强型N沟道功率MOSFET
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- 描述
- SFGMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。高阈值电压（Vth）系列专门针对栅极驱动电压大于10V的高压系统进行了优化。
- 商品型号
- SFS08R03GNF
- 商品编号
- C5118908
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 132W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.661nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低RDS(ON)和品质因数(FOM)
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 快速开关和软恢复
应用领域
- 开关模式电源
- 电机驱动器
- 电池保护
- DC-DC转换器
- 太阳能逆变器
- 不间断电源(UPS)和能量逆变器
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