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IPB042N10N3GATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:137A
- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 符合JEDEC标准。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB042N10N3GATMA1
- 商品编号
- C5116344
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 137A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 117nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.41nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AO3407-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.1A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 56mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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