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SE2305Q
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 先进的沟槽技术可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE2305Q
- 商品编号
- C5116036
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 191pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |