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GBI1630ASMAR
60V, 3A Non-Synchronous Step-Down DCDC Converter With High Efficiency Sleep Mode
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- 描述
- 60V, 3A Non-Synchronous Step-Down DCDC Converter With High Efficiency Sleep Mode
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBI1630ASMAR
- 商品编号
- C53700159
- 商品封装
- ESOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36532克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 4.5V~60V | |
| 输出电压 | - | |
| 输出电流 | 3A | |
| 开关频率 | 200kHz~2.5MHz | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 否 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 静态电流(Iq) | 100uA | |
| 开关管(内置/外置) | 内置 | |
| 输出类型 | 可调 | |
| 功能特性 | 轻载高效模式；逐波限流；可调软启动；打嗝限流 |
商品概述
GBI1630A是一款60V、3A降压转换器，集成了150mΩ高端MOSFET。该器件输入范围宽，为4.5V至60V，采用峰值电流模式，支持200kHz至2.5MHz的宽可调开关频率范围，可通过外部电阻设置。该器件在睡眠模式下的静态电流为100uA，关断电流为1uA，适用于电池供电系统。该器件集成了逐周期电流限制、热关断保护、输出过压保护和输入欠压保护等保护功能。它采用8引脚eSOP - 8L封装。
GBI1630A采用固定频率峰值电流模式控制。内部时钟在每个周期启动集成高端功率MOSFET导通，然后电感电流线性上升。当通过高端MOSFET的电流达到内部误差放大器内部补偿电压设定的阈值水平时，高端MOSFET关断。当高端MOSFET关断时，电感电流通过外部二极管放电，直到下一个时钟周期开始。
GBI1630A在轻负载电流下以脉冲跳跃模式（PSM）运行，以提高效率。负载电流的减小导致反馈电压增加，从而使补偿电压下降。当补偿电压降至低钳位阈值时，触发PSM。在跳跃期间，输出电容的放电导致输出电压下降，使FB电压衰减。
商品特性
- 宽输入范围：4.5V - 60V
- 高达3A连续输出电流
- 0.8V ± 1%反馈参考电压
- 集成150mΩ高端功率MOSFET
- 可调频率200kHz至2.5MHz
- 轻载时采用脉冲跳跃模式（PSM）
- 睡眠模式下静态电流100uA
- 可编程软启动时间
- 输出短路时采用打嗝保护
- 采用eSOP - 8L封装
应用领域
- 12V、24V、48V工业电源系统
- 工业自动化和电机控制
- 车辆配件