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2N7002KS
N沟道SOT23封装MOSFET，低导通电阻，具备HMB ESD保护，适用于电源管理应用
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- 品牌名称
- SPSEMI(瞬雷电子)
- 商品型号
- 2N7002KS
- 商品编号
- C53670802
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 15.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.1pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 在栅源电压（VGS）为10V时，导通电阻（RDS(on)）低
- 推荐控制电压：5V及以上
- N沟道SOT23封装
- 具备2KV的人体模型（HMB）静电放电（ESD）保护
- 无铅，符合RoHS标准
应用领域
- 直流风扇
- 充电器、快速开关
- 适用于便携式产品的电源管理应用，如H桥、逆变器
- 车载充电器及其他应用