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3401
P沟道增强型场效应管,电流:4.2A,耐压:30V
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- 品牌名称
- 集晶电子
- 商品型号
- 3401
- 商品编号
- C5110304
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
AO4812-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 6A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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