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AO4614

P沟道沟槽功率MOSFET,具备高单元密度,适用于同步降压转换器应用

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描述
适用于电源开关和信号控制
商品型号
AO4614
商品编号
C53477856
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.172967克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V;40V
连续漏极电流(Id)6A;4.5A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)633pF
反向传输电容(Crss)58pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)67pF

商品概述

AO4614是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET,具有高单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。

商品特性

  • 提供环保器件
  • 超低栅极电荷
  • 出色的CdV/dt效应抑制
  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • VDSS:40 / -40 V
  • ID:10 / -9.5 A
  • RDS(ON):17 / 30 mΩ

数据手册PDF