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BSS84K
P沟道增强型MOSFET，采用Trench Power LVMOSFET技术，低导通电阻、低栅极电荷、ESD保护
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- 描述
- 小电流MOSFET产品，P沟道，ESD防护，耐压：-60V，电流：-0.2A, Rdson：3700mR
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- BSS84K
- 商品编号
- C53463905
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0214克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 285mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 静电放电(ESD)保护高达2kV（人体模型HBM）
应用领域
- 视频监视器
- 电源管理