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AO4882
双N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电平转换高端开关
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- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4882
- 商品编号
- C53463895
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AO4882采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换的高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- VDS(V) = 40V
- ID = 9A
- RDS(ON)典型值15mΩ（VGS = 10V）
- RDS(ON)典型值20mΩ（VGS = 4.5V）
应用领域
- 高功率和高电流处理能力
- 需要无铅产品
- 表面贴装封装
- ESD5341N
- SP485EEN(UMW)
- CXAF-024000-3X12X40
- CXAF-024000-3X12X41
- CXAF-024000-3X12X42
- CXAF-024000-3X16X40
- CXAF-024000-3X18B50
- CXAF-024000-3X20X20
- CXAF-024000-3X20X40
- CXAF-024545-3X20X40
- CXAF-024576-3D12D40
- CXAF-024576-3D18D00
- CXAF-024576-3E08D40
- CXAF-024576-3E09D40
- CXAF-024576-3F12D41
- CXAF-024576-3F15D41
- CXAF-025000-3C20C20
- CXAF-025000-3D08X41
- CXAF-025000-3D10X40
- CXAF-025000-3D16X40
- CXAF-025000-3D18D40