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AO4882

双N沟道MOSFET,采用先进沟槽技术,适用于电平转换高端开关

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商品型号
AO4882
商品编号
C53463895
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.196567克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

AO4882采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换的高端开关,以及其他多种应用。

商品特性

  • VDS(V) = 40V
  • ID = 9A
  • RDS(ON)典型值15mΩ(VGS = 10V)
  • RDS(ON)典型值20mΩ(VGS = 4.5V)

应用领域

  • 高功率和高电流处理能力
  • 需要无铅产品
  • 表面贴装封装

数据手册PDF