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ZE015NG
N沟道MOSFET采用先进沟槽技术，可降低导通电阻，具备出色开关性能，适用于高效快速开关应用
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- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- ZE015NG
- 商品编号
- C53426459
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.328984克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 123pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 138pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术，以最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 35A，RDS(ON) < 15mΩ（@VGS = 10V）
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有绿色环保器件可供选择