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EG2131D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 11V~20V | |
| 上升时间(tr) | 180ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 70ns | |
| 传播延迟 tpLH | 350ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | -300mV~1.5V | |
| 静态电流(Iq) | 80uA | |
| 功能特性 | 欠压保护 |
- DM-801
- MTQH160808SR33MBT
- MTQH160808S1R5MBT
- MTQH160808S3R3MBT
- MTQH160808S100MBT
- MTQH160865SR22MBT
- MTQH160865S1R0MBT
- MTQH160865S2R2MBT
- MTQH201208SR11MBT
- MTQH201208SR15MBT
- MTQH201208S6R8MBT
- MTQH201210SR11MBT
- MTQH201210SR56MBT
- MTQH201210S3R3MBT
- MTQH201210S4R7MBT
- MTQH201212SR11MBT
- MTQH201212SR24MBT
- MTQH201212SR33MBT
- MTQH201212SR47MBT
- MTQH201212S1R0MBT
- MTQH201212S3R3MBT