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SI1555DL-T1-GE3-JSM
N+P沟道功率沟槽MOSFET，具备散热封装、低导通电阻等特性，适用于电源开关等应用
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- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SI1555DL-T1-GE3-JSM
- 商品编号
- C53337917
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA；600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 113pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
- 采用沟槽功率MOSFET技术
- 散热性能出色的封装
- 高密度单元设计，实现低导通电阻
- 湿度敏感度等级为1级
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 无卤
- N + P沟道MOSFET
商品特性
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- VDs为20V - 20V
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- D为0.7A / - 0.6A
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- RDs(ON)（在VGS = 4.5V时）小于300mΩ / 420mΩ
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- 100%经过EAS测试
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- 100%经过VVDs测试
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- 采用SOT363封装
应用领域
- 电源开关应用
- 不间断电源
- DC - DC转换器
- 电机驱动器