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VS8801GTH
N沟道先进功率MOSFET，增强模式，低导通电阻，VitoMOS II技术，100%雪崩测试和Rg测试，优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率以降低开关损耗
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- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VS8801GTH
- 商品编号
- C53325322
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 577W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 11.385nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.255nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 增强模式
- 低导通电阻（RDS(on)）以最小化传导损耗
- VitoMOS Ⅱ技术
- 100%雪崩测试，100%栅极电阻（Rg）测试
- 优化栅极电荷（Qg）、栅漏电荷（Qgd）和 Qgd/Qgs 比值以最小化开关损耗