- 引脚图
- 焊盘图
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SI2302C-YYT
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于电源管理和PWM应用
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- 品牌名称
- YONGYUTAI(永裕泰)
- 商品型号
- SI2302C-YYT
- 商品编号
- C53308904
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |