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UCC21711QDWRQ1
用于SiC/IGBT的驱动芯片，具有主动保护、隔离模拟传感和高CMTI
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC21711QDWRQ1
- 商品编号
- C53283924
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 4.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | 高边；低边 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5700V | |
| 负载类型 | IGBT、SiC | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 10A | |
| 灌电流(IOL) | 10A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 上升时间(tr) | 33ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 27ns | |
| 传播延迟 tpLH | 90ns | |
| 传播延迟 tpHL | 90ns | |
| 输入高电平(VIH) | 2.1V~5.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 0V~1.65V | |
| 静态电流(Iq) | 3mA | |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 13V~33V | |
| 功能特性 | - |
商品概述
UCC21711-Q1是一款电流隔离单通道栅极驱动器，设计用于最高1700V的SiC MOSFET和IGBT，具备先进保护功能，动态性能和鲁棒性良好。UCC21711-Q1最高可提供±10A峰值源极和灌电流。输入端与输出端之间采用SiO2电容隔离技术，支持最高1.5kV RMS工作电压、12.8kV PK浪涌抗扰度，隔离屏障寿命超过40年，同时具备低器件间偏差，以及大于150V/ns共模噪声抗扰度(CMTI)。UCC21711-Q1包含先进的保护功能，例如快速过流和短路检测、支持分流电流检测、故障上报、主动米勒钳位，以及输入和输出侧电源欠压锁定(UVLO)，可优化SiC和IGBT的开关行为和鲁棒性。隔离式模数PWM传感器可用于更简便的温度或电压检测，进一步提高驱动器的通用性，简化系统设计工作、尺寸和成本。
商品特性
- 5.7kV RMS单通道隔离栅极驱动器
- 通过AEC-Q100汽车应用认证
- 器件温度等级1，环境工作温度范围为-40℃ 至 +125℃
- 支持最高2121V pk的SiC MOSFET和IGBT
- 最大输出驱动电压33V (VDD-VEE)
- ±10A驱动强度，分立式输出
- 最小150V/ns CMTI
- 过流保护响应时间270ns
- 内置4A内部主动米勒钳位
- 故障发生时400mA软关断
- 带PWM输出的隔离式模拟传感器，可用于: – 配合NTC、PTC或热敏二极管进行温度检测 – 高压直流母线或相电压检测
- 过流时输出FLT报警信号，可通过RST/EN复位
- RST/EN引脚具备快速使能/禁能响应
- 输入引脚可抑制小于40ns的噪声瞬变和脉冲
- 12V VDD欠压锁定(UVLO)，RDY引脚输出电源良好信号
- 输入/输出具备最高5V过冲/下冲瞬态电压抗扰度
- 最大传播延迟130ns，最大脉冲/器件偏差30ns
- SOIC-16 DW封装，爬电距离和电气间隙大于8mm
- 工作结温范围为-40℃ 至 150℃
- 具备安全相关认证:UL 1577元件识别计划（计划中）
应用领域
- 电动汽车牵引逆变器
- 车载充电器和充电桩
- HEV/EV直流/直流转换器