CA-IS3213VCG

CA-IS3213 是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱动器，可用于驱动 SiC、IGBT 和 MOSFET 器件。器件具有出色的动态性能和高可靠性，同时具有高达 ±15A 峰值的拉/灌电流能力。 器件通过 SiO₂ 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离，支持 1.5kV_RMS 的隔离工作电压、12.8kV_PK 浪涌抗扰度，额定工作电压下隔离栅寿命超过 40 年，同时具有良好的器件一致性以及 >150V/ns 的共模瞬态抗扰度（CMTI）。 器件控制和驱动侧电源 UVLO，同时针对 SiC 和 IGBT 开关行为进行了优化，并提高了可靠性。此外，CA-IS3213MCG 内置 4A 峰值电流有源米勒钳位；CA-IS3213VCG 外置 COM 脚，便于隔离驱动侧正负电源供电；CA-IS3213SCG 采用 OUTH 和 OUTL 分离输出配置。 全系列采用 SOIC8-WB 宽体封装，爬电距离和间隙距离大于 8mm。

• 5.7kV_RMS 耐压等级的单通道隔离栅极驱动器
• 33V 最大输出驱动电压（VDD–VEE）
• ±15A 峰值驱动电流能力
• CA-IS3213MCG 版本具有：内置 4A 峰值电流有源米勒钳位
• CA-IS3213VCG 版本具有：外置 COM 脚，便于隔离驱动侧正负电源供电
• CA-IS3213SCG 版本具有：OUTH 和 OUTL 分离输出配置
• 高共模瞬态抗扰度：150V/ns（最小值）
• 输入引脚上 40ns（典型值）瞬态和脉冲抑制功能
• 隔离驱动侧 VDD 供电包含 12V UVLO 功能
• 延时特性：
  • 130ns（最大值）传播延迟
  • 30ns（最大值）脉宽失真
  • 30ns（最大值）器件间延时匹配
• SOIC8-WB 宽体封装，爬电距离和间隙距离 >8mm
• 额定工作电压下隔离栅寿命大于 40 年
• 工作结温（TJ）范围：-40°C 至 150°C
• 安全认证：
  • VDE 增强隔离，根据 DIN EN IEC60747-17 (VDE 0884-17): 2021-10 认证
  • 根据 UL1577 认证，5.7kV_RMS 隔离耐压 @1 分钟
  • 根据 CQC GB 4943.1-2022 认证

• 光伏逆变器
• 储能变流器
• 工控电机控制器
• 充电桩功率模块
• UPS 及工业电源等