IGC033S10S1Q
IGC033S10S1Q
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGC033S10S1Q
- 商品编号
- C53234448
- 商品封装
- TSON-6(3x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.1pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 540pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ |
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