G3F20MT12K-VB
漏极源极电压VDS(V)：1200V；电流：100A；导通电阻：21(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- G3F20MT12K-VB
- 商品编号
- C53206735
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 142A | |
| 耗散功率(Pd) | 535W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 300pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ |
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