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TC4451VPA-TUDI
单输出高速MOSFET驱动器，适用于驱动大MOSFET和IGBT，具有匹配的输出上升和下降时间、低交叉传导电流、抗闩锁保护等特点
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- 描述
- 栅极驱动芯片
- 品牌名称
- Tudi(钍地半导体)
- 商品型号
- TC4451VPA-TUDI
- 商品编号
- C53200484
- 商品封装
- DIP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 12A | |
| 拉电流(IOH) | 12A | |
| 工作电压 | 4.5V~18V | |
| 上升时间(tr) | 35ns | |
| 下降时间(tf) | 36ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 58ns | |
| 传播延迟 tpHL | 59ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.6V | |
| 输入低电平(VIL) | 700mV | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 交错导通保护 |
商品概述
TC4451/TC4452是单输出MOSFET驱动器。这些器件是高电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和绝缘栅双极晶体管。它们具有匹配的输出上升和下降时间，以及匹配的上升沿和下降沿传播延迟时间。这些器件还具有极低的交叉导通电流，从而降低了器件的整体功耗。这些器件本质上对任何形式的干扰都免疫，除了直接的过压或过耗散。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都不会发生闩锁。当其接地端出现高达5V的地弹时，这些器件不会受到损坏或发生误操作。它们可以承受超过1.5A的任一极性感应电流被强制灌入其输出端，而不会造成损坏或逻辑错误。此外，所有端子均具有全面的静电放电保护，最高可达4.0kV和400V。TC4451/TC4452的输入可以直接由TTL或CMOS驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供了抗噪能力，并使得器件能够被缓慢上升或下降的波形驱动。凭借宽工作温度范围以及提供表面贴装和通孔封装，TC4451/TC4452系列12A MOSFET驱动器适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。
商品特性
- 高峰值输出电流：13A
- 级间低直通/交叉导通电流
- 宽输入电源电压工作范围：4.5V至18V
- 高连续输出电流：最大2.6A
- 匹配的快速上升和下降时间：带10000 pF负载时为21 ns，带22000 pF负载时为42 ns
- 匹配的短传播延迟：44 ns
- 低输出阻抗：0.9 Ω
- 闩锁保护：可承受1.5A输出反向电流
- 输入可承受高达5V的负向输入
应用领域
- 线路驱动器
- 脉冲发生器
- MOSFET和IGBT驱动
- 本地电源开关
- 电机和螺线管驱动器