TPSI2240CQDWQRQ1

TPSI2240-Q1是一款隔离固态继电器，专为高压汽车和工业应用设计。TPSI2240-Q1采用高可靠性电容增强隔离技术，结合内部背对背MOSFET，形成无需次级侧电源的集成解决方案。器件的初级侧仅需5mA输入电流供电，集成故障安全EN引脚，可防止VDD电源反向供电。大多数应用中，该器件的VDD引脚应连接到4.5V–20V之间的系统电源，EN引脚应由GPIO输出驱动，逻辑高电平在2.1V–20V之间。其他应用中，VDD和EN引脚可直接由系统电源或GPIO输出共同驱动。TPSI2240-Q1的所有控制配置都不需要光继电器方案通常需要的额外外部元件，例如电阻和/或低侧开关。其次级侧由背对背MOSFET组成，S1到S2的耐压为±1.2kV。TPSI2240-Q1的MOSFET雪崩鲁棒性和散热优化的封装设计，使其无需任何外部元件即可稳健支持系统级介质耐电压测试(HiPot)和最高1mA的直流快充浪涌电流（TPSI2240C-Q1为0.6mA，TPSI2240T-Q1为3mA）。

• 符合汽车应用认证
• AEC-Q100 1级，工作温度范围-40℃ 至 125℃
• 低EMI，无需额外元件即可满足CISPR25 5级性能要求
• 集成雪崩额定MOSFET
• 针对介质耐电压测试(Hi-Pot)进行可靠性设计和认证
• 提供不同子型号满足不同雪崩电流要求:TPSI2240-Q1 IAVA=1mA（60s脉冲）；TPSI2240C-Q1 IAVA=0.6mA（60s脉冲）；TPSI2240T-Q1 IAVA=3mA（60s脉冲）
• 1200V隔离电压
• 导通电阻R_ON=130Ω（结温25℃）
• 开通时间、关断时间小于700μs
• 关断电流IOFF=1.22μA（1000V，结温105℃）
• 初级侧关断状态电流低，3.5μA（结温25℃）
• 支持功能安全，可提供文档辅助ISO 26262和IEC 61508系统设计
• 稳健的隔离栅，工作电压1500VRMS/2120VDC下预计寿命超过30年
• 增强隔离额定值，VISO最高可达4750VRMS
• 采用SOIC 11引脚(DWQ)封装，宽引脚设计提升散热性能
• 原边-副边爬电距离和电气间隙≥8mm；开关端子间爬电距离和电气间隙≥6mm
• 规划取得安全相关认证:DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)、UL 1577元件认证计划

• 固态继电器
• 混合动力、电力传动系统
• 电池管理系统(BMS)
• 储能系统(ESS)
• 太阳能
• 车载充电器
• 电动汽车充电基础设施