商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 27mΩ@10V,5.6A | |
功率(Pd) | 1.2W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.8nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 535pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 36pF@15V | |
工作温度 | - |
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