- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DK5V85R10VN
高性能同步整流芯片，集成功率NMOS管，可降低导通损耗，适用于反激应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 合封同步整流芯片
- 品牌名称
- DK(东科半导体)
- 商品型号
- DK5V85R10VN
- 商品编号
- C53183595
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步整流控制器 | |
| 适用AC-DC架构 | 反激式 | |
| 是否内置MOS | 内置 | |
| 工作电压 | 85V~265V | |
| MOS耐压 | 85V | |
| 开关频率 | 300kHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 1 | |
| 模式支持 | CCM；QR；DCM | |
| 导通电阻 | 10mΩ | |
| 关断延时 | 20ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
DK5V85R10VN是一款简单高效率的同步整流芯片。芯片内部集成了85V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管。DK5V85R10VN采用PDFN5×6封装。该芯片内置自供电线路，可实现芯片和功率MOS管驱动需求，无需外接电源。当K极电压高于A极时，通过自供电线路给Vcc供电，Vcc电压逐渐上升。在Vcc电压低于启动电压Vcc_on时，内置功率MOS管关闭；当Vcc电压大于Vcc_on时，结束启动状态；当Vcc电压降低到复位电压Vcc_off以下时，芯片重新进入启动状态。当检测到源漏极VAK导通电压大于开通电压Von时，打开功率MOS管；当检测到流过功率MOS管的电流逐渐减小到0时，即VAK端正向导通电压为零时，关闭功率MOS管。DK5V85R10VN具有自适应数字算法，避免次级谐振时误开通；具有自适应漏感滤波算法，避免漏感谐振时误关闭。在启动、输出短路、输入电压过高、CCM模式等容易在二极管体产生尖峰电压，为防止MOS管过压击穿，可在A和K之间接入RC吸收电路，以减小VKA之间的尖峰电压。由于NMOS管本身特性，工作过程中随着温度升高，内阻值会增大，效率会降低，可适当增加散热面积，降低IC的工作温度。应用中需要测量同步芯片的耐压，确保同步整流芯片工作最高电压低于同步芯片NMOS源漏耐压；需要测量同步芯片的温度，评估产品工作环境最高温度下是否超过工作结温。
商品特性
- 适用于反激PSR、SSR应用
- 超低VF
- 超低温升
- 集成85V 10mΩ功率NMOS
- 可工作于CCM、DCM&QR模式
- 自供电技术，无需外围供电
- 智能检测系统，无需前端同步信号
- 对EMC有适当改善
应用领域
- USB充电器
- 适配器
- LED驱动