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XCH4N80N
插件场效应晶体管
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- 描述
- NMOS,VDS(V):800,ID(A):4.0,RDS(ON)(mΩ) Typ.:3000,TO251
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- XCH4N80N
- 商品编号
- C53155323
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于各种功率开关电路，有助于实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO-251，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- LED照明
- 充电器
- 待机电源
- XCH5N65F
- LG50N10AP
- RB521S-30
- HBT10L200SFCT
- HBM10L300SFCT
- KBJ1506L
- 20*0.1*26
- 0.5-08-50-A-3344
- 0.5-10-50-A-3344
- 1.0-10-100-A-4488
- 0.5-12-100-A-3344
- 0.5-06-100-B-4488
- 0.5-40-100-A-3344
- 0.5-12-50-A-3344
- 0.5-10-50-B-3344
- 0.5-04-50-A-3344
- 0.5-06-30-A-3344
- 0.5-20-100-A-4488
- 0.5-40-50-A-3344
- 0.5-40-200-A-4488
- 0.5-40-100-A-4488