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RS2G32LV4D4BDT-46IT
8GB LPDDR4
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- 描述
- 8GB LPDDR4
- 品牌名称
- Rayson(晶存)
- 商品型号
- RS2G32LV4D4BDT-46IT
- 商品编号
- C53155008
- 商品封装
- BGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.538克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 64Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V；570mV~650mV；1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 工作电流 | 205mA | |
| 刷新电流 | 1.16mA |
商品概述
16Gb移动低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一款高速CMOS动态随机存取存储器。这款8存储体器件内部配置为×16输入/输出。
商品特性
- 超低电压核心与输入/输出电源
- VDD1 = 1.70 - 1.95V；标称值1.80V
- VDD2 = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V
- VDDQ = 0.57 - 0.65V；标称值0.60V；或VDDQ = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V
- 频率范围：2133-10 MHz（每引脚数据速率范围：4266-20 Mb/s）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取与写入延迟
- 可编程和动态突发长度
- 定向每存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
- 每芯片×16通道最高可达8.53 GB/s
- 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止能力
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 可编程Vss(ODT)端接
- 支持单端时钟与数据选通