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FP10R12W1T4
IGBT模块
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- 描述
- EasyPIM™ 模块 采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管 带有温度检测NTC
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP10R12W1T4
- 商品编号
- C541162
- 商品封装
- 插件,62.8x33.8mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.25V@10A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.2V@0.3mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 600pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 45ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 180ns | |
| 导通损耗(Eon) | 900uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 550uJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 0.024nF |
商品概述
EasyPIM™ 模块 采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管 带有温度检测NTC
商品特性
- 低开关损耗
- 沟槽栅IGBT4
- VCEsat 带正温度系数
- 低 VCEsat
应用领域
- 辅助逆变器
- 空调
- 电机传动
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