- 引脚图
- 焊盘图
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IKD08N65ET6-VB
集射极击穿电压(Vces):600/650(V)；集电极电流(Ic)：10A栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@ VGE=15V
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IKD08N65ET6-VB
- 商品编号
- C53133478
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 30A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.8nF | |
| 输出电容(Coes) | 80pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 22pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 50ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 124ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 90ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |