CRG75T60AK3HD-VB
集射极击穿电压(Vces):600/650(V);集电极电流(Ic):75A栅极阈值电压(Vge(th)):1.5V@ VGE=15V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CRG75T60AK3HD-VB
- 商品编号
- C53132803
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 225A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 175nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.6nF | |
| 输出电容(Coes) | 235pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 72pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 60ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 184ns | |
| 导通损耗(Eon) | 620uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 310uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 73ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
- CRG60T60AK3HD-VB
- IRGP4063D-VB
- IMZA120R040M1H-VB
- VBP165C30
- VBP165C40
- SCTWA60N120G2AG-VB
- VBP165C30-4L
- VBP165C40-4L
- NC1M120C40GTNG-VB
- SICW040N120Y-BP-VB
- APT80SM120B-VB
- IV1Q12050T3-VB
- GA20JT12-247-VB
- GA20SICP12-247-VB
- AS1M040120T-VB
- SICW040N120Y4-BP-VB
- G3R160MT12D-VB
- SCT4062KEC11-VB
- SCT4062KEHRC11-VB
- QS1200SCM36-VB
- LSIC1MO120E0120-VB



