- 引脚图
- 焊盘图
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NGTB15N60S1EG-VB
集射极击穿电压(Vces):600/650(V)；集电极电流(Ic)：15A栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@ VGE=15V
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NGTB15N60S1EG-VB
- 商品编号
- C53132775
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 45A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.8nF | |
| 输出电容(Coes) | 82pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 12pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 60ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 184ns | |
| 导通损耗(Eon) | 0.00062uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 0.00031uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 73ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 极低的集电极-发射极饱和电压
- 低关断损耗
- 高速开关
- 最高结温 175°C
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
应用领域
- 电信
- 消费与计算
- 工业
- 可再生能源
- 开关模式电源
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- AOT15B60D-VB
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