FGY75T120SWD-VB
集射极击穿电压(Vces):1200(V)；集电极电流(Ic)：75A栅极阈值电压(Vge(th))：1.55V@ VGE=15V
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FGY75T120SWD-VB
- 商品编号
- C53132512
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 440W；880W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 225A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 8nF | |
| 输出电容(Coes) | 230pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 70pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 68ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 196ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 75ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
- IKA15N65ET6-VB
- SGS23N60UFDTU-VB
- NGTB15N60R2FG-VB
- STGF10NB60SD-VB
- STGF15H60DF-VB
- STGF15M65DF2-VB
- AOTF15B65MQ1-VB
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- AOTF15B60D-VB
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- AOTF15B65M1-VB
- AOTF15B65M3-VB
- STGF20H60DF-VB
- STGF20M65DF2-VB
- AOTF20B65LN2-VB
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