AFGHL25T120RHD-VB
集射极击穿电压(Vces):1200(V)；集电极电流(Ic)：40A栅极阈值电压(Vge(th))：1.55V@ VGE=15V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AFGHL25T120RHD-VB
- 商品编号
- C53132444
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.3nF | |
| 输出电容(Coes) | 230pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 68pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 68ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 178ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 82ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
- AFGHL40T120RHD-VB
- FGY40T120SMD-VB
- NGTB40N120FL2WG-VB
- NGTB40N120FL3WG-VB
- NGTB40N120L3WG-VB
- NGTB40N120SWG-VB
- NGTB40N120S3WG-VB
- IKA08N65H5-VB
- STGF5H60DF-VB
- STGF7H60DF-VB
- AOTF5B65M2-VB
- AOTF8B65MQ1-VB
- IKA10N65ET6-VB
- FGPF10N60UNDF-VB
- NGTB10N60FG-VB
- STGF10M65DF2-VB
- AOTF10B60D2-VB
- AOTF10B65M2-VB
- GWA40MS120DF4AG-VB
- GWA40MS120F4AG-VB
- STGWA40M120DF3-VB
- AFGHL40T120RHD-VB
- FGY40T120SMD-VB
- NGTB40N120FL2WG-VB
- NGTB40N120FL3WG-VB
- NGTB40N120L3WG-VB
- NGTB40N120SWG-VB
- NGTB40N120S3WG-VB
- IKA08N65H5-VB
- STGF5H60DF-VB
- STGF7H60DF-VB
- AOTF5B65M2-VB
- AOTF8B65MQ1-VB
- IKA10N65ET6-VB
- FGPF10N60UNDF-VB
- NGTB10N60FG-VB
- STGF10M65DF2-VB
- AOTF10B60D2-VB
- AOTF10B65M2-VB
- GWA40MS120DF4AG-VB
- GWA40MS120F4AG-VB
- STGWA40M120DF3-VB