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GC190N65QF
N沟道增强型功率MOSFET，采用先进超结技术，适用于AC-DC开关电源和工业电源应用
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC190N65QF
- 商品编号
- C53089631
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.403333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 148W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |