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XRS225N04F
XRS225N04F
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XRS225N04F
- 商品编号
- C53069592
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18408克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 225A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@32V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.51nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用MDD半导体先进的功率沟槽工艺技术制造。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用