温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDN337N
N沟道MOSFET，高密单元设计，低导通电阻，适用于负载/电源开关和接口开关
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- YTL(亚特联)
- 商品型号
- FDN337N
- 商品编号
- C53059513
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 99pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 高密单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
应用领域
-负载/电源开关-接口开关