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DOD603B
DOD603B
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- 描述
- N＋P管/60V/20A/34MΩ/(典型26MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD603B
- 商品编号
- C53059090
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.470916克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 60 V,ID = 20 A,VGS = 10 V时,RDS(ON) < 34 mΩ(典型值:26 mΩ)
- P沟道:VDS = -60 V,ID = -20 A,VGS = -10 V时,RDS(ON) < 80 mΩ(典型值:60 mΩ)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。
- 湿度敏感度等级为3级(MSL3)